真空中多孔氮化硅的高温弯曲强度
来源期刊:宇航材料工艺2010年第2期
论文作者:陈欲超 王红洁 张健 浑丙利 张大海
关键词:多孔氮化硅; 真空; 高温; 弯曲强度; Porous Si_3N_4; Vacuum; High temperature; Flexural strength;
摘 要:研究了高温真空环境下多孔(气孔率>50%)氯化硅陶瓷的弯曲强度,并进行了初步分析.结果表明,多孔氮化硅陶瓷在真空中的高温强度随温度上升而降低,由于没有氧化作用,晶界玻璃相在高温下的软化成为影响其强度的主要因素.
陈欲超1,王红洁1,张健2,浑丙利1,张大海2
(1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049;
2.航天材料及工艺研究所先进功能复合材料国防重点实验室,北京,100076)
摘要:研究了高温真空环境下多孔(气孔率>50%)氯化硅陶瓷的弯曲强度,并进行了初步分析.结果表明,多孔氮化硅陶瓷在真空中的高温强度随温度上升而降低,由于没有氧化作用,晶界玻璃相在高温下的软化成为影响其强度的主要因素.
关键词:多孔氮化硅; 真空; 高温; 弯曲强度; Porous Si_3N_4; Vacuum; High temperature; Flexural strength;
【全文内容正在添加中】