氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究
来源期刊：材料导报2005年第2期
论文作者：邵素珍 李庚伟 吴正龙 刘志凯 张建辉
关键词：ZnO/Si异质结构 氧离子束辅助PLD X射线衍射 X射线摇摆曲线分析 X射线光电子能谱 半高宽度c轴单一取向;
摘 要：利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.
邵素珍1，李庚伟2，吴正龙3，刘志凯4，张建辉4
(1.北京市第四十七中学,北京,100090;
2.中国地质大学材料科学与工程学院,北京,100083;
3.北京师范大学分析测试中心,北京,100875;
4.中国科学院半导体材料科学实验室,北京,100083)
摘要:利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.
关键词:ZnO/Si异质结构 氧离子束辅助PLD X射线衍射 X射线摇摆曲线分析 X射线光电子能谱 半高宽度c轴单一取向;
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