固体透氧膜（SOM）法由SiO2电解制备多晶硅
来源期刊：功能材料2016年第2期
论文作者：赖冠全 邹星礼 程红伟 郑凯 李尚书 耿淑华 鲁雄刚
文章页码：2177 - 2182
关键词：SOM法;熔盐;电解;Si;
摘 要：Si对太阳能以及光伏行业的发展具有重要战略意义,因此被广泛地研究和应用。利用固体透氧膜（solid oxide oxygen ion-conducting membrane,简称SOM）法在CaCl2熔盐中对SiO2直接电解制备多晶硅进行了深入研究。结果表明,不同压片压力及烧结温度会对阴极片电解过程产生影响。0.3g SiO2粉末在2 MPa下压制成型并于900℃下烧结4h后,在1 000℃施加4.0V进行熔盐电解2h能得到纯多晶硅,电流效率为82.3%。电解反应过程包含SiO2→Si和SiO2→CaSiO3→Si两条反应路径。
赖冠全，邹星礼，程红伟，郑凯，李尚书，耿淑华，鲁雄刚
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摘 要：Si对太阳能以及光伏行业的发展具有重要战略意义,因此被广泛地研究和应用。利用固体透氧膜（solid oxide oxygen ion-conducting membrane,简称SOM）法在CaCl2熔盐中对SiO2直接电解制备多晶硅进行了深入研究。结果表明,不同压片压力及烧结温度会对阴极片电解过程产生影响。0.3g SiO2粉末在2 MPa下压制成型并于900℃下烧结4h后,在1 000℃施加4.0V进行熔盐电解2h能得到纯多晶硅,电流效率为82.3%。电解反应过程包含SiO2→Si和SiO2→CaSiO3→Si两条反应路径。
关键词：SOM法;熔盐;电解;Si;
