100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备
来源期刊：功能材料2010年第3期
论文作者：解尧 沈剑沧 江枫 鲁林峰 沈鸿烈 唐正霞
关键词：薄膜; 多晶硅; 铝诱导晶化; 氧化时间; thin film; aluminum-induced crystallization; polycrystalline silicon; oxidation time;
摘 要：以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/SiO_2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜.研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显.还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快.
解尧1，沈剑沧2，江枫1，鲁林峰1，沈鸿烈1，唐正霞1
(1.南京航空航天大学,材料科学与技术学院,江苏,南京,210016;
2.南京大学,物理学系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093)
摘要:以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/SiO_2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜.研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显.还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快.
关键词:薄膜; 多晶硅; 铝诱导晶化; 氧化时间; thin film; aluminum-induced crystallization; polycrystalline silicon; oxidation time;
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