硼碳氮薄膜的制备与表征
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：卢铁城 廖志君 伍登学 范强 刘振良 杨水长
关键词：硼碳氮薄膜; XPS; XRD; FTIR; boron carbon nitride thin films; X-ray diffraction (XRD); X-ray photon electron spectroscopy (XPS); fourier-transformed infrared spectroscopy (FTIR);
摘 要：用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR),测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构.结果表明,薄膜均匀性较好,薄膜的沉积速率非常慢;薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的,随着衬底温度升高到450 ℃,其结晶性逐渐增强;薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键.
卢铁城1，廖志君1，伍登学1，范强1，刘振良1，杨水长1
(1.四川大学,辐射物理与技术教育部重点实验室,四川,成都,610064;
2.中科院国际材料中心,辽宁,沈阳,110015)
摘要:用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR),测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构.结果表明,薄膜均匀性较好,薄膜的沉积速率非常慢;薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的,随着衬底温度升高到450 ℃,其结晶性逐渐增强;薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键.
关键词:硼碳氮薄膜; XPS; XRD; FTIR; boron carbon nitride thin films; X-ray diffraction (XRD); X-ray photon electron spectroscopy (XPS); fourier-transformed infrared spectroscopy (FTIR);
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