梯度多孔碳化硅陶瓷的制备

来源期刊：超硬材料工程2018年第3期

论文作者：王立惠 刘文平 张振军 秦海青 雷晓旭 林峰

文章页码：40 - 43

关键词：超硬材料;SiC;功能材料;梯度材料;多孔;

摘    要：采用高温再结晶工艺制备了定向生长SiC晶体和气孔的梯度多孔高纯碳化硅陶瓷。在这项工作中,碳化硅分解产生混合气体,多孔陶瓷烧结过程中产生的混合气体的流动导致碳化硅颗粒的表面烧蚀、重排和再结晶,从而形成定向排列的柱状碳化硅晶体和管状气孔。样品在不同部位分解和再结晶速率的差异,导致样品沿轴向从下到上形成孔隙率和孔径的梯度分布。以Si粉作为成孔剂,促进毛孔的互联互通的形成。随着硅含量的增加,孔隙率和孔径增大,抗弯强度下降。样品的总孔隙率为38%~47%,其抗弯强度为14~45 MPa。