高阻尼镁合金Mg-0.6%Zr和Mg-Ni中内耗峰分析（英文）

来源期刊：稀有金属材料与工程2017年第10期

论文作者：万迪庆 王锦程

文章页码：2790 - 2793

关键词：高阻尼;镁合金;内耗峰;

摘    要：在高阻尼镁合金研究中,发现了与合金室温下高阻尼性能有关的宽弛豫内耗峰,该峰为位错内耗峰;弛豫内耗峰是基面位错在热激活作用下运动与点缺陷（空位与溶质原子）相互作用产生的。同时在高阻尼合金Mg-Ni和Mg-0.6%Zr中发现了晶界内耗峰。有必要指出的是合金的显微组织会影响晶界弛豫:随着Ni质量分数增加,晶粒细化同时晶界内耗峰向低温处迁移;同Mg-0.6%Zr合金相比,加入少量的Y后,Mg-0.6%Zr-Y合金晶界弛豫峰向高温处推进。