BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究
来源期刊：无机材料学报2004年第5期
论文作者：邓新武 刘兴钊 李金隆 张鹰 李言荣
关键词：BST; 铁电薄膜; 低温; 外延生长;
摘 要：利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长, 并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度, 发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.
邓新武1，刘兴钊1，李金隆1，张鹰1，李言荣1
(1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054)
摘要:利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长, 并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度, 发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.
关键词:BST; 铁电薄膜; 低温; 外延生长;
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