多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响

来源期刊：材料导报2012年第16期

论文作者：周艺 肖斌 黄燕 郭长春 欧衍聪

文章页码：35 - 83

关键词：扩散;氧化层;少子寿命;太阳电池;多晶硅;

摘    要：重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。