OsSi2电子结构及介电性能的第一性原理研究
来源期刊:材料导报2016年第12期
论文作者:张华 余志强 张昌华 廖红华
文章页码:149 - 152
关键词:第一性原理;外延生长;二硅化锇;电子结构;介电性能;
摘 要:采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi2的电子结构和介电性能。结果表明,在1.010nm≤a≤1.030nm范围内,OsSi2始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当晶格常数a为1.020nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi2具有0.625eV的间接带隙能量值;OsSi2的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi2在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi2相比,OsSi2在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi2的介电峰减少且介电峰强度明显增强。
张华,余志强,张昌华,廖红华
湖北民族学院信息工程学院
摘 要:采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi2的电子结构和介电性能。结果表明,在1.010nm≤a≤1.030nm范围内,OsSi2始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当晶格常数a为1.020nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi2具有0.625eV的间接带隙能量值;OsSi2的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi2在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi2相比,OsSi2在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi2的介电峰减少且介电峰强度明显增强。
关键词:第一性原理;外延生长;二硅化锇;电子结构;介电性能;