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碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究

来源期刊:功能材料2010年第10期

论文作者:罗林 介万奇 孙叶 王涛 傅莉

文章页码:1853 - 1856

关键词:碲铟汞;腐蚀坑;位错;电子背散射衍射;双交滑移;

摘    要:通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。

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碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究

罗林,介万奇,孙叶,王涛,傅莉

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

摘 要:通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。

关键词:碲铟汞;腐蚀坑;位错;电子背散射衍射;双交滑移;

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