氨化Ga₂O₃/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线

来源期刊：功能材料2010年第6期

论文作者：薛成山 郭永福 石锋 庄惠照 刘文军 曹玉萍 孙海波

文章页码：976 - 979

关键词：纳米线;GaN;磁控溅射;单晶;钯催化;

摘    要：利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移。最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制。