化学机械抛光的理论模型研究综述
来源期刊：机械设计与制造2010年第11期
论文作者：黄传锦 周海 陈西府
文章页码：256 - 258
关键词：化学机械抛光;平坦化;抛光率;抛光垫;
摘 要：化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑抛光液和抛光垫特性的抛光机理模型,分析了各模型的相关特点,最后对CMP模型的发展和研究方向提出展望。
黄传锦，周海，陈西府
盐城工学院机械工程学院
摘 要：化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑抛光液和抛光垫特性的抛光机理模型,分析了各模型的相关特点,最后对CMP模型的发展和研究方向提出展望。
关键词：化学机械抛光;平坦化;抛光率;抛光垫;
