CVD金刚石薄膜二次形核机制的研究
来源期刊：材料科学与工程学报2001年第1期
论文作者：刘正义 邱万奇 黄元盛
关键词：金刚石; 二次形核; 生长台阶; 碳氢基团;
摘 要：根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制，此机制认为二次形核很容易在(100)晶面上和晶界上形成。通过比较(100)面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差，可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时，粘附在基底的碳氢基团发生堆集，如果堆集碳氢基团高度尺寸较大时将形成二次晶核。也对晶界二次形核的系统自由能差进行了推导，结果表明晶界二次形核是自发的，将导致体系自由能的下降。
刘正义1，邱万奇1，黄元盛1
(1.华南理工大学机电工程系,)
摘要:根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制，此机制认为二次形核很容易在(100)晶面上和晶界上形成。通过比较(100)面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差，可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时，粘附在基底的碳氢基团发生堆集，如果堆集碳氢基团高度尺寸较大时将形成二次晶核。也对晶界二次形核的系统自由能差进行了推导，结果表明晶界二次形核是自发的，将导致体系自由能的下降。
关键词:金刚石; 二次形核; 生长台阶; 碳氢基团;
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