热压烧结C_p/SiC复合材料的低温氧化行为研究

来源期刊：兵器材料科学与工程2010年第6期

论文作者：张云龙 张瑞霞 冯元亮 陈斌 王丹 张海杰

文章页码：19 - 22

关键词：短期氧化;碳化硅基复合材料;质量损失行为;

摘    要：采用热压烧结技术成功制备Cp/SiC基复合材料,并对其进行短时间低温氧化行为研究。针对不同碳粉含量的Cp/SiC复合材料,分析氧化处理过程对其相组成、氧化层结构以及质量损失行为的影响。研究结果表明,随着碳粉含量增加,氧化层表面的孔洞尺寸和深度均呈现出增加的趋势。氧化层与碳化硅基体的分界清晰,无过渡区,不能形成致密氧化层,反应氧化层厚度也逐渐增加。添加碳粉不利于SiC基复合材料的抗氧化性的改善。