二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用
来源期刊：稀有金属1998年第6期
论文作者：王瑞忠 刘峥 钱佩信 王敬 邵贝羚 刘安生 徐军 安生
关键词：二次电子成分衬度像; 异质结半导体材料和器件; 电子显微术; 微结构;
摘 要：阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法, 介绍了一种新的试样制备方法, 讨论了各种制样方法的特点. 以多层P+-Si1-xGex/p-Si异质结内光发射红外探测器为例, 介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用. 将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较, 讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景.
王瑞忠1，刘峥2，钱佩信1，王敬2，邵贝羚2，刘安生2，徐军3，安生2
(1.清华大学微电子学研究所;
2.北京有色金属研究总院,北京,100088;
3.北京大学电子显微镜实验室)
摘要:阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法, 介绍了一种新的试样制备方法, 讨论了各种制样方法的特点. 以多层P+-Si1-xGex/p-Si异质结内光发射红外探测器为例, 介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用. 将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较, 讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景.
关键词:二次电子成分衬度像; 异质结半导体材料和器件; 电子显微术; 微结构;
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