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MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究

来源期刊：功能材料2004年第2期

论文作者：于军王耘波王宝义魏龙王雨田郭冬云

关键词：MFS结构; 钛酸铋薄膜; C-V特性;

摘要：利用sol-gel方法在p-Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜.测量不同退火温度下得到的In/BTO/p-Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

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于军¹，王耘波¹，王宝义²，魏龙²，王雨田²，郭冬云¹

(1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;
2.中国科学院高能物理研究所,核分析室,北京,100039)

摘要:利用sol-gel方法在p-Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜.测量不同退火温度下得到的In/BTO/p-Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

关键词:MFS结构; 钛酸铋薄膜; C-V特性;

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