偏压对阴极电弧离子镀AIN薄膜的影响
来源期刊：材料研究学报2001年第6期
论文作者：黄荣芳 孙超 董闯 黄美东 闻立时 宫骏 卢春燕
关键词：偏压; 阴极电弧离子镀; 物理气相沉积; AlN薄膜;
摘 要：在不同基体负偏压作用下,用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积(PVD)方法在单晶Si(100)基片上获得六方晶系的晶态AlN薄膜用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随偏压的变化,在扫描电子显微镜(SEM)下观察沉积膜的显微组织形貌.结果表明,在较小偏压下,AlN膜呈(002)择优取向,表面致密均匀;在较大偏压下,AlN膜呈(100)择优取向,表面形貌则粗糙不平.AlN薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响.
黄荣芳1，孙超1，董闯2，黄美东2，闻立时1，宫骏1，卢春燕1
(1.中国科学院金属研究所;
2.大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室)
摘要:在不同基体负偏压作用下,用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积(PVD)方法在单晶Si(100)基片上获得六方晶系的晶态AlN薄膜用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随偏压的变化,在扫描电子显微镜(SEM)下观察沉积膜的显微组织形貌.结果表明,在较小偏压下,AlN膜呈(002)择优取向,表面致密均匀;在较大偏压下,AlN膜呈(100)择优取向,表面形貌则粗糙不平.AlN薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响.
关键词:偏压; 阴极电弧离子镀; 物理气相沉积; AlN薄膜;
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