电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期
论文作者：刘小伟 吴德馨 尉林鹏 陈宝钦 刘明
关键词：Ⅰ-线光致抗蚀剂; 栅长; 混合与匹配光刻; I-line photoresist; Gate length; Mix-and-match lithography;
摘 要：Ⅰ-线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在50KV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1min.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备GaAs PHEMT,首先,用I线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT.将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余部分由光学曝光系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.
刘小伟1，吴德馨1，尉林鹏1，陈宝钦1，刘明1
(1.中国科学院微电子中心,北京,100029)
摘要:Ⅰ-线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在50KV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1min.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备GaAs PHEMT,首先,用I线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT.将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余部分由光学曝光系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.
关键词:Ⅰ-线光致抗蚀剂; 栅长; 混合与匹配光刻; I-line photoresist; Gate length; Mix-and-match lithography;
【全文内容正在添加中】
