生长温度对PLD原位生长SrTiO3薄膜结构与非线性介电性能的影响
来源期刊：功能材料2005年第2期
论文作者：段滨 陶伯万 刘兴钊 何世明 李言荣
关键词：SrTiO3薄膜; 介电性能; 叉指电容; 非线性;
摘 要：采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小.
段滨1，陶伯万1，刘兴钊1，何世明1，李言荣1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小.
关键词:SrTiO3薄膜; 介电性能; 叉指电容; 非线性;
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