反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年第12期
论文作者：方梅 陈爽 余志明 刘凤举
关键词：反应磁控溅射; 真空退火; V2O3; VO2; V2O5;
摘 要：采用反应磁控溅射加真空退火分别在玻璃和Si(100)基底上制备氧化钒薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜分析其物相和表面形貌.结果表明:氧气体积分数低于15%时,玻璃上薄膜为低价钒氧化物,Si(100)上薄膜为V2O5(001)织构和V2O3(104)织构,高于20%时两基底上薄膜均为V2O5;玻璃上V2O5薄膜500℃下退火3 h生成VO2,退火后薄膜粗糙度明显下降;Si(100)上V2O5薄膜500℃下退火2 h生成V2O3(104)织构,退火后薄膜粗糙度变化不大.
方梅1，陈爽1，余志明1，刘凤举1
(1.中南大学,有色金属材料科学与工程教育部重点实验室,湖南,长沙,410083)
摘要:采用反应磁控溅射加真空退火分别在玻璃和Si(100)基底上制备氧化钒薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜分析其物相和表面形貌.结果表明:氧气体积分数低于15%时,玻璃上薄膜为低价钒氧化物,Si(100)上薄膜为V2O5(001)织构和V2O3(104)织构,高于20%时两基底上薄膜均为V2O5;玻璃上V2O5薄膜500℃下退火3 h生成VO2,退火后薄膜粗糙度明显下降;Si(100)上V2O5薄膜500℃下退火2 h生成V2O3(104)织构,退火后薄膜粗糙度变化不大.
关键词:反应磁控溅射; 真空退火; V2O3; VO2; V2O5;
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