一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第2期
论文作者：宋安飞 杨国勇 魏同立 冯耀兰 张海鹏
关键词：自动体偏置; 多阈值电压; 高温; SOICMOS电路;
摘 要：提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－ MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－ MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果， 并简述了该电路的应用前景。
宋安飞1，杨国勇1，魏同立1，冯耀兰1，张海鹏1
(1.东南大学微电子中心,)
摘要:提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－ MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－ MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果， 并简述了该电路的应用前景。
关键词:自动体偏置; 多阈值电压; 高温; SOICMOS电路;
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