溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响
来源期刊：无机材料学报1999年第1期
论文作者：罗维根 曾晟 仇萍荪 何夕云 丁爱丽
关键词：射频磁控溅射; 铁电薄膜; 烧绿石相; 钙钛矿相;
摘 要：采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6uC/cm2,Ec=82.9kV/cm.
罗维根1，曾晟1，仇萍荪1，何夕云1，丁爱丽1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6uC/cm2,Ec=82.9kV/cm.
关键词:射频磁控溅射; 铁电薄膜; 烧绿石相; 钙钛矿相;
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