Ti/ZrN2/Al薄膜界面扩散反应的研究
来源期刊:材料工程2001年第7期
论文作者:朱永法 曹立礼 殷木省 姚文清 王莉 嵇世山
关键词:界面扩散; ZrN2; 俄歇电子能谱; 线形分析;
摘 要:利用直流磁控反应溅射法在Al基底上制备了ZrN2及Ti多层薄膜。利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理对Ti/ZrN2/Al样品膜层之间的界面化学状态和相互作用的影响。研究结果表明,真空热处理使Ti/ZrN2/Al薄膜界面上发生了明显的界面扩散和化学反应,生成了TiNx物种,并且薄膜内层发生了严重的氧化反应。
朱永法1,曹立礼1,殷木省1,姚文清1,王莉1,嵇世山1
(1.清华大学化学系,)
摘要:利用直流磁控反应溅射法在Al基底上制备了ZrN2及Ti多层薄膜。利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理对Ti/ZrN2/Al样品膜层之间的界面化学状态和相互作用的影响。研究结果表明,真空热处理使Ti/ZrN2/Al薄膜界面上发生了明显的界面扩散和化学反应,生成了TiNx物种,并且薄膜内层发生了严重的氧化反应。
关键词:界面扩散; ZrN2; 俄歇电子能谱; 线形分析;
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