退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响
来源期刊：无机材料学报2009年第5期
论文作者：陆晟 任国浩 李焕英 潘尚可 张卫东 冯鹤 陈晓峰 丁栋舟
关键词：LPS:Ce晶体; 退火制度; 发光效率; 吸收谱; 发射光谱;
摘 要：Lu2Si2O7:Ce (LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.
陆晟1，任国浩1，李焕英1，潘尚可1，张卫东1，冯鹤1，陈晓峰1，丁栋舟1
(1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800)
摘要:Lu2Si2O7:Ce (LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.
关键词:LPS:Ce晶体; 退火制度; 发光效率; 吸收谱; 发射光谱;
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