合金元素对Mg-Hg-Ga阳极材料电化学行为的影响（英文）

来源期刊：材料科学与工程学报2011年第4期

论文作者：冯艳 王日初 彭超群

文章页码：489 - 1011

关键词：Mg-Hg-Ga合金;电化学行为;合金元素;交流阻抗;

摘    要：用恒电流法,析氢法和交流阻抗法等方法测试了合金元素Hg和Ga对镁阳极电化学腐蚀行为的影响,并用扫描电镜和X射线衍射法分析了合金元素Hg和Ga对镁阳极的显微组织和相结构的影响。结果表明:铸态的Mg-4.8%Hg-8.8Ga合金晶界析出Mg5Ga2和Mg21Ga5Hg3相,铸态的Mg-8.8%Hg-8%Ga和Mg-7.2%Hg-8%Ga合金晶界析出Mg21Ga5Hg3相,铸态的Mg-7.2%Hg-2.6%Ga合金析出Mg3Hg和Mg21Ga5Hg3相。各合金析氢速率从小到大依次为:Mg-7.2%Hg-2.6%Ga合金,Mg-4.8%Hg-8%Ga合金,Mg-7.2%Hg-8%Ga合金和Mg-8.8%Hg-8%Ga合金。最小的析氢速率为1.75ml/（cm2.min）。各合金电化学活性从大到小依次为:Mg-8.8%Hg-8%Ga合金,Mg-7.2%Hg-8%Ga合金,Mg-4.8%Hg-8%Ga合金和Mg-7.2%Hg-2.6%Ga合金。在200 mA/cm2恒电流测试中最负的稳定电位-1.932 V出现在Mg-8.8%Hg-8%Ga合金中。