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稀土氧化物对常压烧结氮化硅陶瓷性能的影响

来源期刊:无机材料学报2017年第12期

论文作者:段于森 张景贤 李晓光 黄鸣鸣 施鹰 谢建军 江东亮

文章页码:1275 - 1279

关键词:稀土氧化物;氮化硅;热导率;常压烧结;

摘    要:高导热氮化硅陶瓷是大功率电力电子器件散热的关键候选材料。研究采用稀土氧化物(Re2O3)和氧化钛(Ti O2)烧结助剂体系,通过低温常压烧结方法来制备氮化硅陶瓷,以有效降低成本,满足实际应用的需求。系统研究了烧结助剂种类及含量对Si3N4陶瓷的致密化行为、热导率、显微结构以及力学性能的影响。研究发现随着稀土离子半径的增大,材料的致密度和热导率均呈现下降趋势,添加Sm2O3后样品最高密度仅为3.14 g/cm3。但是当Sm2O3-Ti O2烧结助剂含量为8wt%时,样品断裂韧性可达5.76 MPa?m1/2。当添加Lu2O3且烧结助剂含量为12wt%时,材料的密度可达3.28 g/cm3,但是大量存在的第二相导致热导率仅为42.3 W/(m·K)。研究发现该材料具有良好的断裂韧性。经1600℃退火8 h后,Er2O3-Ti O2烧结助剂样品的热导率达到51.8 W/(m·K),基本满足一些功率电路基板材料的实际应用需求。

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稀土氧化物对常压烧结氮化硅陶瓷性能的影响

段于森1,2,张景贤1,李晓光1,黄鸣鸣1,2,施鹰2,谢建军2,江东亮1

1. 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室2. 上海大学材料科学与工程学院

摘 要:高导热氮化硅陶瓷是大功率电力电子器件散热的关键候选材料。研究采用稀土氧化物(Re2O3)和氧化钛(Ti O2)烧结助剂体系,通过低温常压烧结方法来制备氮化硅陶瓷,以有效降低成本,满足实际应用的需求。系统研究了烧结助剂种类及含量对Si3N4陶瓷的致密化行为、热导率、显微结构以及力学性能的影响。研究发现随着稀土离子半径的增大,材料的致密度和热导率均呈现下降趋势,添加Sm2O3后样品最高密度仅为3.14 g/cm3。但是当Sm2O3-Ti O2烧结助剂含量为8wt%时,样品断裂韧性可达5.76 MPa?m1/2。当添加Lu2O3且烧结助剂含量为12wt%时,材料的密度可达3.28 g/cm3,但是大量存在的第二相导致热导率仅为42.3 W/(m·K)。研究发现该材料具有良好的断裂韧性。经1600℃退火8 h后,Er2O3-Ti O2烧结助剂样品的热导率达到51.8 W/(m·K),基本满足一些功率电路基板材料的实际应用需求。

关键词:稀土氧化物;氮化硅;热导率;常压烧结;

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