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热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

来源期刊：材料导报2013年第11期

论文作者：李瑞张析张丹青向钢

文章页码：27 - 32

关键词：热蒸发法;第Ⅳ族半导体;Si纳米线;Ge纳米线;SiGe纳米线;

摘要：系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。

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李瑞，张析，张丹青，向钢

四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室

关键词：热蒸发法;第Ⅳ族半导体;Si纳米线;Ge纳米线;SiGe纳米线;