一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展

贾若飞，杨丽丽，杨丰，王飞，杨慧，李岚

天津理工大学显示材料与光电器件教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室材料科学与工程学院材料物理所

摘 要：一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势,本文主要论述一维GaN纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制备一维GaN纳米材料,重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维GaN纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态,讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。

关键词：GaN;纳米线;CVD法;LED;光探测器;