制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响
来源期刊:材料导报2012年第4期
论文作者:颜东亮 郭子龙 陈林 吴建青
文章页码:9 - 11
关键词:非均匀成核法;正交实验;制备条件;
摘 要:采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉体。正交实验的结果表明,各因素对ATO包覆纤维效果的影响从大到小依次是包覆悬过程中氧化硅的用量、包覆层溶液离子浓度、反应过程的pH值、包覆时反应温度及包覆离子溶液加入速度。通过正交实验所确定ATO包覆氧化硅粉体的合理工艺参数:包覆悬过程中氧化硅的用量保持在0.4g/mL、包覆过程的pH值控制为2.0、包覆层离子浓度为0.6mol/L、包覆离子溶液加入速度为0.5mL/min、反应温度为50℃。通过正交实验所确定的合成参数所得的复合导电粉体的电阻率只有108.1Ω.cm。
颜东亮1,2,郭子龙1,陈林3,吴建青2
1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院2. 华南理工大学材料科学与工程学院3. 萍乡高等专科学校化学工程系
摘 要:采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉体。正交实验的结果表明,各因素对ATO包覆纤维效果的影响从大到小依次是包覆悬过程中氧化硅的用量、包覆层溶液离子浓度、反应过程的pH值、包覆时反应温度及包覆离子溶液加入速度。通过正交实验所确定ATO包覆氧化硅粉体的合理工艺参数:包覆悬过程中氧化硅的用量保持在0.4g/mL、包覆过程的pH值控制为2.0、包覆层离子浓度为0.6mol/L、包覆离子溶液加入速度为0.5mL/min、反应温度为50℃。通过正交实验所确定的合成参数所得的复合导电粉体的电阻率只有108.1Ω.cm。
关键词:非均匀成核法;正交实验;制备条件;