Ni²⁺掺杂CdWO₄晶体的发光特性研究

来源期刊：功能材料2011年第12期

论文作者：钟月锋 万云涛 夏海平 张约品

文章页码：2241 - 2244

关键词：光学材料;镍掺杂CdWO4晶体;近红外发光;荧光半高宽;

摘    要：应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2+掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2+在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观察到发光中心为480nm的蓝光,这是Cd-WO4晶体中WO66+中的电子跃迁所致。在808与980nm的激发下,均观察到发光中心分别为1068nm的近红外发射带,归结为和Ni 2+八面体格位的3 T2g（3F）→3 A2g（3F）能级跃迁。