间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜
来源期刊:材料导报2010年第S1期
论文作者:姜宏伟 彭鸿雁 陈玉强 祁文涛 王军 曲晏宏
文章页码:67 - 70
关键词:直流热阴极PCVD;高甲烷浓度;纳米金刚石膜;间歇式;
摘 要:采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。
姜宏伟,彭鸿雁,陈玉强,祁文涛,王军,曲晏宏
牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室
摘 要:采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。
关键词:直流热阴极PCVD;高甲烷浓度;纳米金刚石膜;间歇式;