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Al-Mg-Si合金时效强化初期的价电子理论研究

来源期刊：兵器材料科学与工程2007年第4期

论文作者：曹力生林成高倩刘志林

关键词：Al-Mg-Si合金; 时效强化; 价电子结构; 过饱和固溶体; GP区; EET理论;

摘要：为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用"EET"理论中的键距差法(BLD法),计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程.

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曹力生¹，林成²，高倩²，刘志林²

(1.锦州师范高等专科学校,辽宁,锦州,121000;
2.辽宁工学院,材料与化学工程学院,辽宁,锦州,121001;
3.东北大学,辽宁,沈阳,110004)

摘要:为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用"EET"理论中的键距差法(BLD法),计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程.

关键词:Al-Mg-Si合金; 时效强化; 价电子结构; 过饱和固溶体; GP区; EET理论;

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