反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As居里温度的影响

来源期刊：磁性材料及器件2010年第6期

论文作者：陈余 关玉琴 李继军

文章页码：25 - 28

关键词：稀磁半导体;居里温度;掺杂;反铁磁性交换作用;

摘    要：基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As以外都不可能实现室温铁磁性,(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As的掺杂浓度为13.1%和18%时可获得室温铁磁性,但是反铁磁性交换作用相对强弱增强到y=0.01时,任何掺杂浓度都不能实现室温铁磁性。