高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用
来源期刊：金属学报2008年第6期
论文作者：祁阳 李茂林 张炳森 孙霞光 张彩碚 于晓明
关键词：臭氧; 浓缩装置; Bi系氧化物薄膜; 分子束外延;
摘 要：利用硅胶吸附一解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膳的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×103Pa,该臭氧浓度可维持5 h以上.X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.
祁阳1，李茂林1，张炳森1，孙霞光1，张彩碚1，于晓明1
(1.东北大学理学院材料物理与化学研究所,沈阳,110004;
2.东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳,110004)
摘要:利用硅胶吸附一解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膳的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×103Pa,该臭氧浓度可维持5 h以上.X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.
关键词:臭氧; 浓缩装置; Bi系氧化物薄膜; 分子束外延;
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