探测器级CdZnTe晶体变温特性研究

来源期刊：功能材料2011年第3期

论文作者：徐亚东 何亦辉 王涛 查钢强 傅莉 介万奇

文章页码：441 - 890

关键词：CdZnTe;α粒子;脉冲响应光谱;载流子传输;漏电流;

摘    要：采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230～300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温（298K）以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping（去俘获）缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。