碳化硅晶须对C/C复合材料表面SiC涂层的影响

谭周建^1,2，李军^1,2，张翔^1,2，李丙菊^1,2，褚胜林¹，廖寄乔^1,2

1. 中南大学粉末冶金国家重点实验室2. 湖南金博复合材料科技有限公司

摘 要：以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响。结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变;同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低。

关键词：碳化硅晶须;C/C复合材料;SiC涂层;力学性能;