正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应
来源期刊：金属学报2007年第3期
论文作者：王宝义 张兰芝 林均品 魏龙 王文俊 王丹妮
关键词：正电子湮没寿命; 二维符合Doppler; TiAl合金;
摘 要：利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti51Al49合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加.
王宝义1，张兰芝1，林均品3，魏龙1，王文俊3，王丹妮1
(1.中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;
2.中国科学院研究生院,北京,100049;
3.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083)
摘要:利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti51Al49合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加.
关键词:正电子湮没寿命; 二维符合Doppler; TiAl合金;
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