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白光LED用LaF3:Eu3+红色荧光粉的制备与表征

来源期刊:有色金属科学与工程2018年第5期

论文作者:李金琼 温和瑞 孔莉芸 彭光怀 廖金生

文章页码:97 - 102

关键词:氟化镧;荧光粉;水热;发光;

摘    要:采用水热法制备具有单一相六方晶系的LaF3:Eu3+纳米荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)和荧光衰减曲线对LaF3:Eu3+纳米荧光粉进行表征. LaF3:Eu3+荧光粉的激发光谱主要由250 nm处的宽带(O2-→Eu3+的电荷转移跃迁)和一些尖峰(Eu3+f-f跃迁)构成,其中位于近紫外区396 nm处有一较强的激发峰.通过发射光谱探测Eu3+在LaF3晶体中的局部晶场环境.在298 K下激发光谱和发射光谱可知,在六方晶系的LaF3纳米晶体中的Eu3+晶格位置从D4h降至到C2v,这是由于晶格变化所造成的.在396 nm激发下,观测到较优掺杂浓度为10%的LaF3:Eu3+荧光粉在591 nm(5D0→7F1跃迁)处有强烈的红色发射峰.其发光性能表明,LaF3:Eu3+红色荧光粉在近紫外发光二极管领域具有潜在的应用价值.

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白光LED用LaF3:Eu3+红色荧光粉的制备与表征

李金琼,温和瑞,孔莉芸,彭光怀,廖金生

江西理工大学冶金与化学工程学院

摘 要:采用水热法制备具有单一相六方晶系的LaF3:Eu3+纳米荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)和荧光衰减曲线对LaF3:Eu3+纳米荧光粉进行表征. LaF3:Eu3+荧光粉的激发光谱主要由250 nm处的宽带(O2-→Eu3+的电荷转移跃迁)和一些尖峰(Eu3+f-f跃迁)构成,其中位于近紫外区396 nm处有一较强的激发峰.通过发射光谱探测Eu3+在LaF3晶体中的局部晶场环境.在298 K下激发光谱和发射光谱可知,在六方晶系的LaF3纳米晶体中的Eu3+晶格位置从D4h降至到C2v,这是由于晶格变化所造成的.在396 nm激发下,观测到较优掺杂浓度为10%的LaF3:Eu3+荧光粉在591 nm(5D0→7F1跃迁)处有强烈的红色发射峰.其发光性能表明,LaF3:Eu3+红色荧光粉在近紫外发光二极管领域具有潜在的应用价值.

关键词:氟化镧;荧光粉;水热;发光;

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