含硼金刚石与普通金刚石半导体性及抗氧化性比较

高军¹，宫建红¹，林淑霞¹，阮立群⁴

(1.山东大学,威海分校机电工程学院,山东,威海,264209;
2.山东大学,机械工程博士后流动站,山东,济南,250061;
3.山东省超硬材料工程技术研究中心,山东,邹城,273500;
4.熊本大学自然科学研究科机械系统,日本,8608555)

摘要:通过在铁基合金中加入硼粉的方法,制成含硼量0.2%(质量分数)的Fe-Ni-C-B系触媒,用静压法合成含硼金刚石.研究了普通金刚石和含硼金刚石的形貌、晶体结构、电阻-温度曲线和抗氧化性.实验表明,合成的含硼金刚石具有良好的半导体性,电离能ΔE=0.368eV;起始氧化温度比普通金刚石高185℃,耐热性明显改善.此方法为低成本、大批量的制备半导体金刚石提供了新的途径.

关键词:金刚石; 硼; 半导体性能; 抗氧化性; diamond; boron; semiconductor; oxidative stability;

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