不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究
来源期刊：无机材料学报2006年第5期
论文作者：孙洵 李毅平 王圣来 房昌水 顾庆天 王波
关键词：DKDP晶体; 过饱和度; 晶体生长; 缺陷;
摘 要：过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素.本文采用"点籽晶"快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试.研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷.实验证明,DKDP晶体可以在＜4℃的过饱和度下实现快速生长,但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.
孙洵1，李毅平1，王圣来1，房昌水1，顾庆天1，王波1
(1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100)
摘要:过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素.本文采用"点籽晶"快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试.研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷.实验证明,DKDP晶体可以在＜4℃的过饱和度下实现快速生长,但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.
关键词:DKDP晶体; 过饱和度; 晶体生长; 缺陷;
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