关于单晶硅电阻率测量的精确性
来源期刊：中国有色冶金1983年第5期
论文作者：O.A.雷密索夫 丁德才
文章页码：33 - 35
摘 要：<正> 半导体硅必须具有掺杂合金在晶体范围内分布的高度均匀性,一方面,这是仪表制造工艺进步的必要条件(例如,在电气工业中已经面临创建其参数接近理论极限的大功率器件任务),而另一方面—更新式的仪表首先是通讯仪表都要求硅具有高度的电阻率分布均匀性。
O.A.雷密索夫，丁德才
摘 要：<正> 半导体硅必须具有掺杂合金在晶体范围内分布的高度均匀性,一方面,这是仪表制造工艺进步的必要条件(例如,在电气工业中已经面临创建其参数接近理论极限的大功率器件任务),而另一方面—更新式的仪表首先是通讯仪表都要求硅具有高度的电阻率分布均匀性。
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