镀膜光纤传感器ZnO压电层电沉积机理及结晶结构的研究
来源期刊：材料保护2005年第3期
论文作者：袁永瑞 蒋利民 梁桂 周雅
关键词：ZnO薄膜; 光纤传感器; 阴极电沉积;
摘 要：研究了镀膜光纤传感器ZnO压电薄膜电沉积的晶体结构的影响因素及沉积机理.试验表明,利用Zn(NO3)2单盐水溶液体系可在铜基上进行阴极电沉积直接得到氧化锌膜.试验研究了电沉积过程中电流密度、沉积温度、Zn2+浓度、pH值及沉积时间对氧化锌膜结构的影响,提出了一套稳定、实用、经济的电沉积工艺参数为:电流密度4.5～7.0 mA/cm2,温度50～60 ℃,反应时间10～20 min,Zn2+浓度0.10～0.20 mol/L,pH值2.0～3.0.通过循环伏安曲线对沉积反应进行了分析,考察了结晶组成和晶体结构及晶粒尺寸.研究表明,搅拌对沉积影响不大.在最佳工艺条件下沉积得到的ZnO薄膜厚度为2.8～3.2 μm,薄膜晶粒尺寸为0.529 40 nm.
袁永瑞1，蒋利民1，梁桂1，周雅1
(1.南昌航空工业学院材料科学与工程系,江西,南昌,330034)
摘要:研究了镀膜光纤传感器ZnO压电薄膜电沉积的晶体结构的影响因素及沉积机理.试验表明,利用Zn(NO3)2单盐水溶液体系可在铜基上进行阴极电沉积直接得到氧化锌膜.试验研究了电沉积过程中电流密度、沉积温度、Zn2+浓度、pH值及沉积时间对氧化锌膜结构的影响,提出了一套稳定、实用、经济的电沉积工艺参数为:电流密度4.5～7.0 mA/cm2,温度50～60 ℃,反应时间10～20 min,Zn2+浓度0.10～0.20 mol/L,pH值2.0～3.0.通过循环伏安曲线对沉积反应进行了分析,考察了结晶组成和晶体结构及晶粒尺寸.研究表明,搅拌对沉积影响不大.在最佳工艺条件下沉积得到的ZnO薄膜厚度为2.8～3.2 μm,薄膜晶粒尺寸为0.529 40 nm.
关键词:ZnO薄膜; 光纤传感器; 阴极电沉积;
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