正反欧姆区间伏安特性对镀层均匀性及膜/基结合强度的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2016年第9期
论文作者：冯林 蒋百灵 杨超 郝娟 张彤晖
文章页码：2458 - 2461
关键词：磁控溅射离子镀;伏安特性;反欧姆区;离化率;
摘 要：将靶材与真空腔之间的伏安特性引入正-反欧姆过渡区间,采用脉冲控制模式研究不同靶电流密度对镀层均匀性和膜/基结合强度的影响规律。实验发现,当靶面放电区电流密度（Id）由0.083 A/cm2增加至0.175 A/cm2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性增大关系,与之对应的镀层厚度差由7.984μm增大至14.011μm;但当Id由0.175 A/cm2增大至0.25 A/cm2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性减小关系,与之对应的镀层厚度差则由14.011μm减小至10.077μm;而薄膜厚度减小率由97.38%（Id=0.083 A/cm2）降低为89.491%（Id=0.25 A/cm2）;另外,在反欧姆区,膜/基结合强度随Id的增大而快速增大。以上结果表明:反欧姆环境下有利于改善镀层的均匀性和提高膜/基结合强度。
冯林1，蒋百灵1,2，杨超1，郝娟1，张彤晖1
1. 西安理工大学2. 南京工业大学
摘 要：将靶材与真空腔之间的伏安特性引入正-反欧姆过渡区间,采用脉冲控制模式研究不同靶电流密度对镀层均匀性和膜/基结合强度的影响规律。实验发现,当靶面放电区电流密度（Id）由0.083 A/cm2增加至0.175 A/cm2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性增大关系,与之对应的镀层厚度差由7.984μm增大至14.011μm;但当Id由0.175 A/cm2增大至0.25 A/cm2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性减小关系,与之对应的镀层厚度差则由14.011μm减小至10.077μm;而薄膜厚度减小率由97.38%（Id=0.083 A/cm2）降低为89.491%（Id=0.25 A/cm2）;另外,在反欧姆区,膜/基结合强度随Id的增大而快速增大。以上结果表明:反欧姆环境下有利于改善镀层的均匀性和提高膜/基结合强度。
关键词：磁控溅射离子镀;伏安特性;反欧姆区;离化率;
