半导体氮化物的导电类型

来源期刊：中南大学学报(自然科学版)1983年第4期

论文作者：施锦行

文章页码：121 - 125

关键词：氮化物； 导电类型； 极性半导体； 自补偿； 掺杂； 极性化合物； 阴离子空位； 补偿理论； 共价半径； 阳离子空位

摘    要：本文用空位自补偿理论来研究半导体氮化物的导电类型,确定了未掺杂的铝、镓、铟的氮化物都是n型,并认为这些氮化物是具有一定自补偿的双极性材料。

Abstract: The conductivity types of semiconductor nitrides have been investigated by using vacancy self-compensation theory. It is found that all undoped AlN, GaN and InN are expected to be n--type. It is also evaluated that these nitrides are ambipolar compounds, in spite of a partial self-compen- sation existing in them.