感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第6期
论文作者：刘胜 陈明祥 甘志银
关键词：圆片键合; 感应加热; 金-硅共晶; 微机电系统(MEMS)封装; wafer bonding; induction heating; gold - silicon eutectic; MEMS packaging;
摘 要：选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热.理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相.另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合.
刘胜1，陈明祥1，甘志银1
(1.华中科技大学微系统研究中心,武汉,430074;
2.美国韦恩州立大学机械系,密西根,48202)
摘要:选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热.理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相.另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合.
关键词:圆片键合; 感应加热; 金-硅共晶; 微机电系统(MEMS)封装; wafer bonding; induction heating; gold - silicon eutectic; MEMS packaging;
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