Si、Cu和热处理工艺对Al-Si合金电导率的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第11期

论文作者：李斌 杨昭 杨续跃 李绍康 许德英

文章页码：2857 - 2861

关键词：晶格畸变;电导率;Al-Si合金;

摘    要：通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析和X射线衍射分析,研究了Si含量、Cu含量和热处理工艺对Al-Si系铸造合金晶格常数和电性能的影响规律。结果表明:Si和Cu元素的添加会减小合金的电导率;当Si含量超过固溶极限后,Si含量的变化对晶格畸变程度影响不大,合金的电导率受Si相的体积百分数控制;而Cu在固溶极限内时,随其含量的增加,晶格畸变程度增大,合金的电导率可根据铝基体晶格常数的偏离量来评估;经过450℃,5 h+250,2 h热处理工艺,晶格畸变程度明显降低,合金的电导率有明显提高,增幅最高可达32%。