ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2012年第6期
论文作者：熊超 肖进 丁丽华 陈磊 袁洪春 徐安成 周详才 朱锡芳 潘雪涛
文章页码：443 - 448
关键词：ZnO/n-Si异质结;I-V特性;C-V特性;内建电势;界面态;
摘 要：本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域。由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性。
熊超1,2，肖进1，丁丽华1，陈磊1，袁洪春1，徐安成1，周详才1，朱锡芳1，潘雪涛1
1. 常州工学院光电工程学院2. 华南理工大学电子与信息学院
摘 要：本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域。由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性。
关键词：ZnO/n-Si异质结;I-V特性;C-V特性;内建电势;界面态;
