不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

来源期刊：湖南有色金属2016年第3期

论文作者：龚丽 刘云珍

文章页码：60 - 64

关键词：ZnO;Ga掺杂;透明导电薄膜;生长温度;磁控溅射法;

摘    要：采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的Zn O（GZO）透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响。制备的GZO透明导电薄膜均沿（002）方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力。随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3Ωcm。不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90%,薄膜具有优异的光学特性。