基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述

来源期刊：材料导报2012年第15期

论文作者：陈心满 赵灵智 牛巧利

文章页码：19 - 26

关键词：RRAM存储器;阻变效应;电阻存储;物理机制;

摘    要：随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。